Фән һәм технологиянең өзлексез алга китүе белән, акыллы медицина җиһазлары медицина индустриясе инновацияләре һәм үсеше өчен мөһим этәргеч булды. Алар арасында MOSFET (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы) технологиясе медицина җиһазларының эшләвен яхшыртуда һәм энергия куллануны киметүдә төп роль уйный. MOSFET югары эффективлыгы, түбән каршылыклы һәм тиз күчү мөмкинлекләре аркасында акыллы медицина җиһазларында алыштыргысыз компонентка әйләнде.
Күчмә медицина җайланмалары өлкәсендә,MOSFET'sминиатюризация һәм аз энергия куллану аны идеаль сайлау ясый. Бу компакт киңлектә эффектив энергия белән идарә итә, җайланманың батарейка гомерен озайта, шул ук вакытта җайланманың төгәл һәм ышанычлы медицина хезмәтләрен күрсәтә алуын тәэмин итә.
Интеллектуаль медицина җиһазларыэлектрокардиографлар, кан басымы мониторлары, кан глюкозасы счетчиклары MOSFET технологиясен киң куллана башладылар. MOSFETлар бу җайланмаларның эшләвен яхшыртып кына калмый, аларны энергия куллануны киметеп экологик яктан чиста һәм экономияле итә.
MOSFETлар шулай ук MRI һәм CT сканерлары кебек медицина күзәтү өлкәләрендә мөһим роль уйныйлар. Аның тиз күчү мөмкинлекләре һәм югары җитештерүчәнлеге медицина күзәтү җиһазларының югары резолюцияле һәм сыйфатлы сурәтләр бирә алуын тәэмин итә, табибларга төгәл диагноз куярга булыша.
WINSOK MOSFET интеллектуаль медицина җиһазлары өлкәсендә куллану материалы саны:
Партия саны | Конфигурация | Тип | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS (ON) (mΩ) | Сис | Пакет | |||
@ 10В | |||||||||||
(V) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (pF) | ||||
Ялгыз | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
Ялгыз | П-Ч | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
Ялгыз | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
Ялгыз | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Ялгыз | П-Ч | -20 | -120 | -0.4 | -0.6 | -1 | - | - | 4950 | DFN5X6-8 | |
Ялгыз | П-Ч | -30 | -120 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Ялгыз | N-Ch | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | TO-252 | |
Ялгыз | N-Ch | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | TO-252 |
Аның тиешле материал саны:
WINSOK WST3400 тиешле материал номеры: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. ДИНТЕК Электроника DTS3406.
WINSOK WSD30L40DN тиешле материал номеры: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA, PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 тиешле материал саны: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.
NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP, SiDR390DP, SiRA80DP, SiDR392DP ANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens ярымүткәргеч PDC3960X.
WINSOK WSD30150DN56 тиешле материал номеры: AOS AON6512, AONS32304Onsemi, FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB, PKE24BB.Potens ярымүткәргеч PDC3.
WINSOK WSD20L120DN56 тиешле материал саны: AOS AON6411. ТОШИБА TPH1R403NL.
WINSOK WSD30L120DN56 тиешле материал номеры: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.NIKO-SEM PK5A7BA.
WINSOK WSF3040 тиешле материал номеры: AOS AOD32326, AOD418, AOD514, AOD516, AOD536, AOD558.Онсеми, FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NF3LL.INFINEON, IR IPD090N03LG.TOSN3 7NSU, SM3119NAU.
WINSOK WSF3085 тиешле материал номеры: AOS AOD4132, AOD508, AOD518.Онсеми, ФАИРЧИЛД FDD050N03B.STМикроэлектроника STD100N3LF3.INFINEON, IR IPD031N03LG, IPD040N03LG.PANJ3 PJJ.
Гомумән, MOSFET технологиясе нәтиҗәлерәк, төгәлрәк һәм экологик яктан чиста булыр өчен акыллы медицина җиһазлары үсешенә ярдәм итә. Технологиянең өзлексез алга китүе белән, MOSFET акыллы медицина җиһазларында киң куллану перспективаларына ия һәм медицина тармагына тагын да яңалыклар һәм үзгәрешләр китерер дип көтелә.
Пост вакыты: 27-2023 октябрь